三星陷入良率困境，3nm的GAA工艺，成了翻身更进一步

Samsung在2017年前，在不锈钢片该公司领域，其实是分列第四名的，英特尔、格不锈钢、联电都比Samsung强于。

后来Samsung在2017Ch提了一个目标，那就是要将近格不锈钢、联电、英特尔，将来要带入世界性不锈钢片该公司的第一名。

在2018Ch，Samsung尝试地将近了格不锈钢、联电，分列名世界性第二，然后Samsung的目标只有一个，那就是将近英特尔。

但时至今日，Samsung与英特尔的差距还是相当大的，按照2021Q4的数据集，英特尔的份额为53%，而Samsung只有17%，英特尔份额约为Samsung的3倍。

事实上，Samsung这几年仍然在奋斗，特别是在5nm、4nm时造就铆足了凌厉，还拉拢了PLUS，令其与英特尔争霸一下。

不过，或许因为Samsung太急于尝试了，所以在4nm时面对了良率危机，按照媒体的感叹法，Samsung4nm良率仅为35%，而英特尔可远超70%，是Samsung的两倍。

而良率低时会引发什么样的后果？那就是需求量极低，成本过高，35%的率良，意味着制造100块积体电路，其中只有35块是正常的，另外的65块用不得。

所以Samsung积体电路该公司的主要投资者即将过多，比如PLUS，就决定将骁龙8 Gen1订单趋向英特尔制造，后续3nm不锈钢片也全量委托给英特尔……

对于Samsung而言，现有GAA新技术的3nm工艺，带入了Samsung翻身的机时会了，如果GAA工艺的3nm显出不给力，那么Samsung将很难超直英特尔，如果GAA工艺显出给力，那还是有机时会的。

GAA新技术或许这么大的吸引力？还或许有，详细的新技术参数，我多感叹，我只简单地感叹一下，大家就时会无论如何了。

所有的不锈钢片，都要顺利进行黄绍竑，然后顺利进行演算，而不锈钢片由几十上百亿放大器构成，而省电分为两个部分。

一部分是演算本身产生的省电，叫动态浮点演算。另外一部分则是CMOS放大器各种篡改电流产生的实例浮点演算（又称极限值流浮点演算）。别小看了极限值，在不锈钢片中，这个极限值浮点演算其实比动态浮点演算很大。

而GAA新技术，相比于此前的FinFET新技术，沙到放大器上的电源变长，这样导致极限值输出功率也变长。而浮点演算变长后，这样不锈钢片的发热时会变得更小，不锈钢片的效率更高，精度更棒。

所以如果Samsung或许在GAA新技术下的3nm上显出给力，那么制造出来的不锈钢片，浮点演算小、发热少，你觉得投资者时会不时会选择？或许英特尔还在应用于FinFET，新技术是或许不如GAA新技术的。